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Wenn Daten aus dem Speicher angefordert werden, übermitteln beim handelsüblichen SDRAM 14 Adressleitungen die Speicheradresse. Einmal gibt es das RAS (Row Access Signal) für die Reihe und einmal das CAS (Column Access Signal) für die Spalte. Hat der Speicher die Anforderung verstanden, schickt er die Daten von dieser Position, und allen anderen Spalten aus der gleichen Zeile, auf den Speicherbus.
Je nach Programmierung schickt der Speicherbaustein so lange Daten, bis er ein Stopp-Signal erhält. Der Vorteil dieses Burst-Modus ist, dass nebeneinander liegende Daten nicht Stück für Stück angefordert werden müssen, sondern \"in einem Rutsch\" geliefert werden. Hierdurch wird viel Zeit gespart.
Trotzdem fallen zwischen den einzelnen Anforderungssignalen noch Wartezeiten an. Diese lassen sich in drei unterschiedliche Stufen einteilen:
RCD (Row to Column Delay): Zeit, die das RAM braucht um von der Reihenadresse zur Spaltenadresse zu wechseln;
CS (Column Access Signal Latency): Zeit, die nach der Adressübermittlung verstreicht, bis der Datentransfer gestartet wird;
RPT (Row Access Signal Precharge Time): Beim Lesen von Daten werden durch die Übertragung der Adresse die Zeilen quasi \"frei geschaltet\", was zur Folge hat, dass deren Inhalt schonmal vorsorglich in kleine Zwischenspeicher geschrieben wird. Folgt nun ein weiterer Zugriff auf eine andere Zeile, muss zuerst der Inhalt des Zwischenspeichers in den eigentlichen Speicher zurück geschrieben werden. (Wir erinnern uns: Beim Auslesen gehen die Daten verloren)
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