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Ein Sperrschichttransistor besteht aus drei Schichten, wovon ein oder zwei aus n-dotiertem und ein oder zwei aus p-dotiertem Halbleitermaterial bestehen. Hierdurch kann man npn- oder pnp- Transistoren aufbauen, wobei sich pnp- Transistoren durch die umgekehrte Schichtfolge absolut spiegelbildlich verhalten wie npn- Transistoren. Durch eine extrem
dünne Basisschicht bewirkt man, dass Elektronen bei vorhandenem Basisstrom vom Emitter zum Kollektor gelangen können. Folge ist, dass man mit einem kleinen durch die Basis- Emitterstrecke fließenden Steuerstrom mit großer Präzision einen um die bauartabhängige Stromverstärkung größeren Kollektor- bzw. Emitterstrom fließen lassen kann. Bei höherem Basisstrom als eigentlich nötig kann ein Transistor auch als verschleißfreier Schalter eingesetzt werden.
pnp-Transistor npn-Transistor
Mit dem Buchstaben B kennzeichnet man die Basis, mit C den Kollektor (engl. Collector) und mit E den Emitter. Jeweils 2 Anschlüsse zueinander bilden mit Ausnahme Kollektor-Emitter eine Diode, die in einer Richtung leitet und in der anderen sperrt. Sinn eines Transistors ist jedoch nicht, irgendwelche Ströme gleichzurichten. Er soll vielmehr als stromverstärkendes Bauelement wirken, wobei die Basis als Steueranschluss dient. Ein kleiner Strom, der bei einem npn-Transistor in den Basisanschluss hineinfließt, soll dazu dienen, den Stromfluss zwischen Kollektor und Emitter zu steuern. Die Funktionsweise sei nachfolgend anhand eines npn-Transistors erklärt. Ein pnp-Transistor funktioniert genauso, nur dass aufgrund seines Aufbaus alle Polaritäten vertauscht sind.
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